报道称，如今，许多旗舰智能手机都开始支持AI大模型的端侧应用，它势必对存储容量和速率提出更高的要求。在笔者此前的报道中，我们已经注意到，旗舰智能手机目前主流运行AI大模型70亿参数，大多数机型的闪存都配置了512GB这一容量。
在闪存规格上，主要为UFS4.0。UFS是一种允许设备同时读取和写入的全双工接口，并且在标准层面能帮助设备以更低的功耗实现高速读写，UFS4.0理论速度达到4,640MB/s。
为了提升生成式AI在智能手机上的应用体验，一些存储芯片厂商也升级了UFS4.0。例如美光最近发布增强版UFS4.0，更早前铠侠也推出第二代UFS4.0。
性能提升
日前，美光发布的增强版通用闪存（UFS）4.0 移动解决方案，其中一大特点就是生成式 AI 应用中的大语言模型加载速度可提高 40%。
美光UFS 4.0基于先进的232层3D NAND技术，其顺序读取速度和顺序写入速度分别高达 4300 MBps和4000 MBps，较前代UFS3.1产品相比性能提升一倍。更快的读/写性能可提升10%的应用启动速度，实现更快的相册访问速度和流畅的多任务处理。
铠侠在UFS 4.0的技术规范下，对产品性能进行深度优化，其第二代UFS4.0不仅为其提升了性能。比如，铠侠第二代UFS 4.0相比第一代提升了18%的顺序写入性能，提升了30%随机写入速度，以及13%的随机读取性能。
尺寸小型化
美光的增强版UFS4.0在封装上更加紧凑。去年6月推出的UFS4.0封装规格为11mm x 13mm。新品进一步缩小外观规格，提供9mm x 13mm 托管型 NAND封装。UFS4.0模块的尺寸更小，那么可以为智能手机节出空间放置更大容量的电池。
为了追求更小的尺寸，铠侠UFS 4.0提供宽11x长13x厚0.8mm的封装规格。铠侠也表示，芯片封装尺寸甚至还可以影响到最终产品的大小，更小的芯片封装可以允许手机、平板、掌机腾出更多的内部空间安装电池，可以进行更多的个性化设计，增加产品竞争力。
另外新产品也进行了能效的优化。美光新版UFS 4.0解决方案可将能效提升 25%，使用户在运行 AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。铠侠表示更低的读写功耗能够帮助移动设备延长续航时间。
小结：
生成式AI在智能手机上的应用正推动存储芯片厂商升级UFS4.0产品，同时UFS也从旗舰智能手机逐渐向下渗透。铠侠第二代UFS 4.0嵌入式闪存设备已于去年6月开始送样。2024年2月，美光增强版 UFS 4.0 也已出样。容量方面，它们都提供 256 GB、512GB 和 1TB 的容量选项。以小封装尺寸、优化的速度与延时，提升AI大模型在手机上的应用体验。
