NTHL099N60S5 SUPERFET V MOSFET 是安森美半导体的第五代高压超级结 (SJ) MOSFET 系列。SUPERFET V 提供同类最佳的 FOM（RDS(ON)-QG 和 RDS(ON)-EOSS），不仅能提高重负载效率，还能提高轻负载效率。600 V SUPERET V 系列通过降低传导和开关损耗实现设计优势，同时支持 120 V/ns 的极高 MOSFET dVDS/dt 额定值和 50 V/ns 的高体二极管 dVDS/dt 额定值。因此，SUPERFET V MOSFET Easy Drive 系列结合了出色的开关性能，同时又不牺牲硬开关拓扑和软开关拓扑的易用性。它有助于管理 EMI 问题，使设计更易于实现，并具有出色的系统效率。
特性
• 650 V @ TJ= 150°C
• 典型值 RDS(on)= 79.2 m
• 100% 通过雪崩测试
• 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合 RoHS 规范
应用
• 电信/服务器电源
• 电动汽车充电器/UPS/太阳能/工业电源
深圳市明佳达电子有限公司供求安森美 NTHL099N60S5 功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® V，易驱动，600 V，33 A，99 mΩ，TO-247
绝对最大额定值（TJ = 25°C，除非另有说明）
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