意法半导体STGWA30HP65FB2沟槽栅极场截止650 V、高速HB2系列IGBT

 明佳达电子出售意法半导体STGWA30HP65FB2沟槽栅极场截止650 V、高速HB2系列IGBT

规格

技术：Si

封装 / 箱体：TO-247-3

安装风格：Through Hole

配置：Single

集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V

集电极—射极饱和电压：1.65 V

栅极/发射极最大电压：- 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流：50 A

Pd-功率耗散：167 W

最小工作温度：- 55°C

最大工作温度：+ 175°C

封装：Tube

商标：STMicroelectronics

集电极最大连续电流 Ic：50 A

栅极—射极漏泄电流：250 nA

产品类型：IGBT Transistors

工厂包装数量：600

子类别：IGBTs

单位重量：6.100 g

说明

该650V HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 是采用先进的、具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构进行开发的 IGBT。这些器件在传导和开关损耗间取得最佳折中，使任何频率转换器的效率实现最大化。凭借 ST 先进的沟槽式栅极和场终止高速技术，这些 IGBT 具有最低程度的集电极电流断开拖尾，以及非常低的饱和电压（Vce(sat)）（典型值低至 1.6V），尽可能降低了开关和打开过程中的电能损耗。此外，微正的 VCE(sat) 温度系数和非常紧密的参数分布实现了更为安全的并行工作。

HB2系列是先进的专有沟槽栅极场截止结构的演变。由于在低电流值下具有更好的VCE(sat)行为，HB2系列的性能在传导方面以及在降低开关能量方面得到了优化。仅用于保护目的的二极管与IGBT反向并联封装在一起。其结果是，该产品专为最大限度地提高各种快速应用的效率而设计。