深圳市明佳达电子有限公司推出全新英飞凌OptiMOS™ 功率晶体管 IPB038N12N3G MOSFET N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
特性：
• N 沟道、正常电平
• 出色的栅极电荷 x R DS（导通）乘积（FOM）
• 极低的导通电阻 R DS(on)
• 175 °C 工作温度
• 无铅电镀；符合 RoHS 规范，无卤素
• 目标应用符合 JEDEC1) 标准
• 高频开关和同步整流的理想选择
IPB038N12N3G器件属性：
| Infineon | |
| 产品种类: | MOSFET |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| D2PAK-3 (TO-263-3) | |
| N-Channel | |
| 1 Channel | |
| 120 V | |
| 120 A | |
| 3.2 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2 V | |
| 211 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 300 W | |
| Enhancement | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 3 | |
| 配置: | Single |
| 下降时间: | 21 ns |
| 正向跨导 - 最小值: | 83 S |
| 高度: | 4.4 mm |
| 长度: | 10 mm |
| 产品类型: | MOSFET |
| 上升时间: | 52 ns |
| 工厂包装数量: | 1000 |
| 子类别: | MOSFETs |
| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
| 典型关闭延迟时间: | 70 ns |
| 典型接通延迟时间: | 35 ns |
| 宽度: | 9.25 mm |
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