概述
STGAP2SICS是一款单通道栅极驱动器，在栅极驱动通道、低电压控制和接口电路之间提供电流隔离。该栅极驱动器具有4A电流能力和轨到轨输出，因此适合用于中等功率和大功率应用，例如工业应用中的电源转换和电机驱动器逆变器。该器件有两种不同配置可选。借助独立输出引脚 (STGAP2SICSTR) 的配置，用户可通过专用栅极电阻分别优化导通和关断。该配置具有单输出引脚和米勒钳位功能 (STGAP2SICSCTR)，可防止半桥拓扑中快速换向时的栅极尖峰。两种配置均为外部元件提供较高的灵活性，降低物料清单成本。
STGAP2SICS集成了保护功能：UVLO（值针对SiC MOSFET和热关断进行了优化），有助于设计高度可靠的系统。双输入引脚支持选择信号极性控制和实施HW互锁保护，可在控制器发生故障时避免交叉传导。输入至输出传播延迟小于75ns，可提供较高的PWM控制精度。可提供待机模式，降低空闲功耗。
特性
高达1200V高压轨
驱动器电流能力：4A拉电流/灌电流（25°C时）
dV/dt瞬变抗扰性：±100V/ns，全温度范围内
整体输入-输出传播延迟：75ns
独立的拉电流和灌电流选项，可简化栅极驱动配置
4A米勒钳位专用引脚选项 (STGAP2SICSCTR)
UVLO功能
栅极驱动电压高达26V
3.3V、5V TTL/CMOS输入，带迟滞
温度关断保护
待机功能
6kV电隔离
宽体SO-8W封装
深圳市明佳达电子出售/收购ST/意法半导体 STGAP2SICSC 用于SiC MOSFET的4 A 电流隔离式栅极驱动器。
产品规格
产品种类：电流隔离式栅极驱动器
系列：STGAP2SICS
类型：Half-Bridge
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：SO-8W
配置：Non-Inverting
激励器数量：1 Driver
输出端数量：1 Output
输出电流：4 A
电源电压-最小：3 V
电源电压-最大：5.5 V
上升时间：30 ns
下降时间：30 ns
最小工作温度：- 40°C
最大工作温度：+ 125°C
技术：SiC
传播延迟—最大值：90 ns
单位重量：150 mg
