明佳达电子供求TI LMG3526R050RQSR 650V 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的 GaN FET
概述
LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，可让设计人员实现更高水平的功率密度和效率。LMG3526R050集成了一个硅驱动器，可实现高达150V/ns的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关SOA。这种集成特性与TI的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供超小的振铃和干净的开关。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在15V/ns至150V/ns之间。这可用于主动控制EMI并优化开关性能。
| 制造商 | TI |
| 型号 | LMG3526R050RQSR |
| 封装 | VQFN-52 |
特性
带集成栅极驱动器的650V硅上氮化镓场效应晶体管 (FET)
集成高精度栅极偏置电压
200V/ns FET释抑
3.6MHz开关频率
15V/ns到150V/ns转换速率，用于优化开关性能和缓解EMI
在7.5V至18V电源下工作
高级电源管理
数字温度PWM输出
有助于实现软开关转换器的零电压检测功能
强大的保护功能
响应时间少于100ns的逐周期过流和锁存短路保护
硬开关时可承受720 V浪涌
针对内部过热和UVLO监控的自我保护
顶部冷却12mm ×12mm VQFN封装将电气路径和热路径分开，以实现最低的功率环路电感
应用
• 开关模式电源转换器
• 商户网络和服务器PSU
• 商用电信用整流器
• 太阳能逆变器和工业电机驱动器
• 不间断电源
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