明佳达提供GS61008T-MR 100 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管
器件概述
GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强型硅基氮化镓功率器件。这些晶体管具有GaN的特性，可提供高电流、高击穿电压和极高的开关频率。GS6100x晶体管采用岛式技术单元布局，以提供高电流芯片和高产量。它们还采用GaNPX封装，在小封装中提供低电导和低热阻。GS6100x晶体管为高功率应用提供极低的结至外壳热阻。所有这些特性相结合，提供了非常高效的电源开关。
| 制造商 | Infineon |
| 型号 | GS61008T-MR |
| 封装 | PG-ULGA-4 |
技术：GaN-on-Si
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：GaNpx
晶体管极性：N-Channel
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续漏极电流：90 A
Rds On-漏源导通电阻：9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 7 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.1 V
Qg-栅极电荷：8 nC
最小工作温度：- 55°C
最大工作温度：+ 150°C
Pd-功率耗散：-
通道模式：Enhancement
商标名：GaNPX
系列：GS6100x
配置：Single
开发套件：GS61008P-EVBHF
湿度敏感性：Yes
产品类型：MOSFET
单位重量：3 g
典型应用
• 不间断电源(UPS)
• 工业电机驱动
• 机器人学
• 无线电力传输
• 快速电池充电
• D类放大器
• 能量存储系统
• 交流/DC转换器(次级侧)
• 牵引驱动
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