供应存储芯片（W632GU6MB-12）16M x 8 BANKS x 16 BIT DDR3L SDRAM

概述

W632GU6MB 是一款 2G 位 DDR3L SDRAM，共有 16,777,216 个字 x 8 个库 x 16 位。该器件可实现高达 2133 MT/s 的高速传输速率（DDR3L-2133），适用于各种应用。该器件分为以下速度等级：-09、-11、-12、-15、09I、11I、12I、15I、09J、11J、12J 和 15J。

特点 

• 电源： 1.35V（典型值），VDD、VDDQ = 1.283V 至 1.45V 向后兼容至 VDD、VDDQ = 1.5V ± 0.075V 
• 双倍数据速率架构：每个时钟周期两次数据传输 
• 八个内部组，可同时运行 
• 8 位预取架构 
• CAS 延迟：5、6、7、8、9、10、11、13 和 14
• 突发长度 8 (BL8) 和突发斩波 4 (BC4) 模式：通过模式寄存器 (MRS) 固定，或可选择实时 (OTF) 
• 可编程读取突发排序：交错或按顺序读取字节 
• 双向、差分数据选通（DQS 和 DQS#）与数据一起传输/接收 
• 与读取数据边缘对齐，与写入数据中心对齐 
• DLL 使 DQ 和 DQS 转换与时钟对齐 
• 差分时钟输入（CK 和 CK#） 
• 在每个正 CK 边沿输入命令，数据和数据掩码参考差分数据选通对的两个边沿（双倍数据速率） 
• 发布具有可编程加法延迟（AL = 0、CL - 1 和 CL - 2）的 CAS，以提高命令、地址和数据总线效率
• 读取延迟 = 加法延迟加 CAS 延迟（RL = AL + CL）
• 读写脉冲串自动预充电操作 
• 刷新、自刷新、自动自刷新 (ASR) 和部分阵列自刷新 (PASR) 
• 预充电断电和主动断电 
• 写入数据的数据屏蔽 (DM) 
• 每个工作频率的可编程 CAS 写入延迟 (CWL) 
• 写入延迟 WL = AL + CWL 
• 多用途寄存器 (MPR)，用于读出预定义的系统定时校准位序列 
• 通过写均衡和 MPR 读取模式支持系统级定时校准 
• 输出驱动器和 ODT 使用外部参考电阻接地进行 ZQ 校准 
• 用于上电初始化序列和复位功能的异步 RESET# 引脚 
• 用于数据、数据掩码和差分选通对的可编程片上终端 (ODT) 
• 动态 ODT 模式可在写入过程中提高信号完整性和预选终端阻抗 
• 2K 字节页面大小 
• 采用 VFBGA 96 球（7.5 x 13 mm2，厚 1.0 mm）封装，使用符合 RoHS 规范的无铅材料

深圳明佳达电子供应存储芯片（W632GU6MB-12）16M x 8 BANKS x 16 BIT DDR3L SDRAM

感兴趣的商友，请来电联系陈先生：

QQ：1668527835

电话：13410018555

邮箱：chen13410018555@163.com

公司网址：www.szmjd.com