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供应NOR闪存《S29GL512T10FHI013、S29GL512T10FHI020》FLASH - NOR 存储器 IC

深圳市明佳达电子有限公司供应及收购NOR闪存《S29GL512T10FHI013S29GL512T10FHI020》FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb 并联 100 ns 64-FBGA(13x11)

概述 

S29GL01GT/512T 是采用 45 纳米工艺技术制造的 MIRRORBIT™ 闪存产品。这些器件的快速页面访问时间快达 15 ns,相应的随机访问时间快达 100 ns。这些器件具有一个写入缓冲器,一次操作最多可对 256 个字/512 个字节进行编程,因此有效编程时间比标准编程算法更快。因此,这些器件非常适合当今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式应用。

供求型号 S29GL512T10FHI013S29GL512T10FHI020  
存储器类型
非易失
 
存储器格式
闪存
 
技术
FLASH - NOR
 
存储容量
512Mb
 
存储器组织
64M x 8
 
存储器接口
并联
 
写周期时间 - 字,页
60ns
 
访问时间
100 ns
 
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
 
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
 
安装类型
表面贴装型
 
封装/外壳
64-LBGA
 
供应商器件封装
64-FBGA(13x11)

特性

  • 45 纳米 MIRRORBIT Eclipse 技术
  • 用于读取/编程/擦除的单电源 (VCC) (2.7V 至 3.6V)
  • 宽 I/O 电压范围 (VIO): 1.65V 至 VCC
  • x8/x16 数据总线
  • 异步 32 字节页面读取
  • 以页面倍数编程,最大可达 512 字节
  • 同一字上的单字和多字编程选项
  • 以统一的 128kB 扇区进行扇区擦除
  • 用于编程和擦除操作的暂停和恢复命令
  • 高级扇区保护
  • 状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法可确定设备状态
  • 独立的 2048 字节一次性程序阵列
  • 温度范围:(-40°C 至 +85°C)
  • 封装:64 个球栅阵列,13 毫米 x 11 毫米
  • 密度:512MB

本公司长期高价现金回收个人和工厂库存电子元件,能迅速为客户消化库存、减少仓储、回笼资金。只回收正规渠道货源,如代理商、贸易商、终端工厂等,不接受不是正规渠道货源。

如有多余库存需处理,欢迎致电联系陈先生:

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点击数:0 | 更新时间:2023-11-29 14:06:08
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