明佳达电子进口原装供应东芝晶体管《TK10A80E》MOSFET 硅 N 沟道 MOS (π-MOSVIII) 质量保证 欢迎咨询！
| 年份 | 最新 |
| 封装 | TO-220F |
介绍：
东芝 π-MOS VIII MOSFET 是基于东芝第八代平面半导体工艺的 10V 栅极驱动、单 N 沟道器件，该工艺结合了高水平的单元集成和优化的单元设计。与前几代产品相比，该技术降低了栅极电荷和电容，同时又不失低 RDS(ON) 的优势。这些 MOSFET 的额定电压为 800V 和 900V，主要针对 LED 照明中的反激式转换器、辅助电源和其他需要低于 5.0A 电流开关的电路等应用。这些器件采用标准 TO-220 通孔外形尺寸和表面贴装 DPAK 封装。
TK10A80E特点：
(1) 低漏极-源极导通电阻： RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）
(2) 低漏电流：IDSS = 10 µA（最大值）（VDS = 640 V）
(3) 增强模式： Vth = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
TK10A80E 器件应用：
• 开关稳压器
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