深圳市明佳达电子有限公司推出纳薇半导体 NV6127、NV6128、NV6125、NV6136A 氮化镓功率芯片
| 型号 | NV6127、NV6128、NV6125、NV6136A |
| 年份 | 新23+ |
| 封装 | QFN |
作为世界上率先推出氮化镓功率IC的公司，纳微半导体拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队，可以持续不断为广大充电器或电源适配器厂商提供多种氮化镓技术的产品，可以最高支持PD3.1协议的240W氮化镓充电器应用，同时让更多领域的产品享受到第三代半导体氮化镓技术赋能的好处。
纳微半导体深耕氮化镓芯片领域，凭借着出色的集成设计和研发水平，受到广大厂商的喜爱，以下是我司整理的部分纳微产品。
1、NV6127：是一颗氮化镓功率芯片，常用于PFC开关管，内部集成氮化镓开关管、氮化镓驱动器以及逻辑电路，应用简单。NV6127采用QFN6*8mm封装，散热性能升级，125mΩ导阻，内置驱动器支持10-30V供电。最高支持2MHz开关频率。
2、NV6128：采用QFN6*8mm封装，在使用电流检测电阻时仍能得到增强的散热。NV6128内部整合集成栅极驱动器，支持10-30V供电，且导通压摆率可编程。具有开尔文源极，有效降低寄生参数对高频开关的影响。NV6128导阻为70mΩ，在纳微的氮化镓功率芯片中最低。芯片额定工作电压为650V，峰值耐压800V，在系统中的可靠性更高，支持2MHz高开关频率。
3、NV6125：内部整合集成栅极驱动器，支持10-30V供电，且导通速率可编程。NV6125导阻为175mΩ，芯片额定工作电压为650V，峰值耐压800V，在系统中的可靠性更高，支持2MHz高开关频率。
4、NV6136A：内置170mΩ氮化镓开关管，采用QFN6*8封装，内置的驱动器支持10-30V供电，支持2MHz开关频率。同时芯片内部还集成了更高效的保护与驱动电路，具备全面的保护功能。
拓扑/应用
• 交流-直流，直流-直流，交流-交流
• QR反激、PFC、AHB、降压、升压、半桥、全桥、LLC谐振、D级
• 无线电源、太阳能微型逆变器、LED照明、电视SMPS、服务器、电信
关于纳薇：
纳微半导体成立于2014年，旨在实现电力电子领域超速充电的革命。我们正在运用我们发明的业界首个氮化镓（GaN）功率芯片，实现这场史无前例的行业革新。该功率芯片能让充电器的开关速度提高100倍，同时使能源节约提高3倍或以上。
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