明佳达公司供应IGBT 晶体管 IMBG120R140M1H IMBG120 1200 V 碳化硅沟槽MOSFET，全新原装，大量工厂库存，价格实惠，欢迎咨询！
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制造商
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Infineon Technologies
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产品型号
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IMBG120R140M1H |
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| 系列 | 1200V CoolSiC™模块 | |
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说明
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CoolSiC™ 1200 V SiC沟槽MOSFET，采用TO-263-7封装 |
CoolSiC技术的低功率损耗与.XT互连技术相结合，采用新的1200 V优化SMD封装，在驱动器、充电器和工业电源等应用中实现了最高效率和无源冷却潜力。
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FET 类型
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N 通道
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技术
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SiCFET（碳化硅）
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漏源电压（Vdss）
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1200 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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18A（Tc）
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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189 毫欧 @ 6A，18V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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5.7V @ 2.5mA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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13.4 nC @ 18 V
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Vgs（最大值）
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+18V，-15V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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491 pF @ 800 V
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FET 功能
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标准
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功率耗散（最大值）
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107W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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应用
快速电动车充电
工业电机驱动和控制
光伏能源系统的解决方案
不间断电源（UPS）
长期收购英飞凌 IMBG120R140M1H IMBG120 IGBT 晶体管，只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，诚信回收电子呆料库存：电子元器件、5G模组、新能源模组、5G芯片、基站IC、人工智能IC、网络IC、蓝牙IC、手机IC、汽车IC、通信IC、家电IC、电源IC、驱动IC、物联网IC和模组芯片、连接器、射频模块、存储器、继电器、MOS管、单片机、二三级管等产品。
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