明佳达公司推出全新原装IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1 1200V 沟槽型碳化硅 MOSFET
描述：IMBG120R220M1H 采用TO-263-7封装的1200 V CoolSiC™沟槽型碳化硅MOSFET。
型号：IMBG120R220M1H_IMBG120R220M1HXTMA1
年份：最新21+
规格参数
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FET 类型
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N 通道
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技术
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SiCFET（碳化硅）
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漏源电压（Vdss）
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1200 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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13A（Tc）
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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294 毫欧 @ 4A，18V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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5.7V @ 1.6mA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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9.4 nC @ 18 V
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Vgs（最大值）
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+18V，-15V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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312 pF @ 800 V
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FET 功能
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标准
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功率耗散（最大值）
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83W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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PG-TO263-7-12
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封装/外壳
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TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA
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优势
提高效率
实现更高的工作频率
增加功率密度
减少冷却工作
降低系统复杂程度和成本
SMD封装，无需增设散热器，即可实现自然对流冷却，因此可直接集成到PCB中
应用领域
不间断电源（UPS）
电动汽车快速充电
工业电机驱动和控制
太阳能系统解决方案
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