据昨日消息称，意法半导体表示，其在2021年7月成功制造出的首批8英寸SiC晶圆质量上乘，影响芯片良率和晶体位错的缺陷少，目标在2024年量产并实现40%的自主供应，并计划到2024年将SiC晶圆产能提高到2017年的10倍。
SiC晶圆升级到8英寸标志着意法半导体面向汽车和工业客户的扩产计划取得重要的阶段性成功，巩固了意法半导体在这一开创性技术领域的领导地位，提高了电力电子芯片的轻量化和能效，降低客户获取这些产品的总拥有成本。
这个阶段性成功是意法半导体布局更先进的、高成本效益的8英寸 SiC量产计划的组成部分。SiC晶圆升级到8英寸属于公司正在执行的SiC衬底建新厂和内部采购SiC衬底占比超40%的生产计划。
除了晶圆片满足严格的质量标准外，SiC晶圆升级到8英寸还需要对制造设备和整体支持生态系统进行升级更换。意法半导体正在与供应链上下游技术厂商合作开发自己的制造设备和生产工艺。
此外，电力和能源领域在政府政策和投资计划的支持下，意法半导体对电网、绿色公共交通和能源转型等关键基础设施的投资正在扩大。
