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N 沟道 MOSFET HIP2100IBZ HIP2100IBZT 100V 半桥栅极驱动器

 明佳达出售N 沟道 MOSFET HIP2100IBZ HIP2100IBZT 100V 半桥栅极驱动器

 

型号:HIP2100IBZ HIP2100IBZT半桥栅极驱动器

HIP2100 是一款高频 100V 半桥N 沟道功率 MOSFET 驱动器 IC。低边和高边栅极驱动器是独立控制和匹配到 8ns。这为用户提供了最大的灵活性死区时间选择和驱动程序协议。欠压对低端和高端电源的保护输出低。片上二极管消除了分立其他驱动器 IC 所需的二极管。一个新的电平转换器拓扑产生脉冲操作的低功耗优势具有直流操作的安全性。与一些竞争对手不同,高端输出在经过一段时间后恢复到正确状态高侧电源的瞬时欠压。

规格

驱动配置
半桥
 
通道类型
独立式
 
驱动器数
2
 
栅极类型
N 沟道 MOSFET
 
电压 - 供电
9V ~ 14V
 
逻辑电压 - VIL,VIH
4V,7V
 
电流 - 峰值输出(灌入,拉出)
2A,2A
 
输入类型
非反相
 
高压侧电压 - 最大值(自举)
114 V
 
上升/下降时间(典型值)
10ns,10ns
 
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
 
安装类型
表面贴装型
 
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
 
供应商器件封装
8-SOIC

HIP2100IBZT

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