深圳市明佳达电子推出TOSHIBA SSM3K35CTC MOSFET N 沟道 MOS 20 V CST3C
型号：SSM3K35CTC MOSFET N 沟道 MOS
描述
东芝 U-MOSIII MOSFET 是单通道和双通道 MOSFET，非常适合高速开关应用。这些 MOSFET 提供低漏源导通电阻和低电压栅极驱动。
特征
驱动电压类型：逻辑电平栅极驱动
最大漏源导通电阻 (R DS(ON) )：0.0135Ω 至 6.0Ω (@V GS = -2.5V )
漏源电压 (V DSS )：- 20V至 +30V
栅源电压 (V GSS )：±8V 至 ±10V
漏极电流 (I D )：-14A 至 4.2A
功耗 (P D )：0.1W 至 1.25W
输入电容 (C ISS )：12pF 至 3350pF
应用
开关稳压器
DC-DC转换器
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