明佳达电子供应恩智浦 PMGD280 PMGD280UN MOSFET - 阵列 双N 沟道 表面贴装型 6-TSSOP
型号：PMGD280 PMGD280UN MOSFET - 阵列
说明
使用塑料封装的双 N 沟道增强型场效应晶体管TrenchMOS™ 技术。
应用
驱动电路；
在便携式设备中切换。
规格
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FET 类型
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2 N-通道（双）
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FET 功能
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逻辑电平门
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漏源电压（Vdss）
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20V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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870mA
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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340 毫欧 @ 200mA，4.5V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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1V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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0.89nC @ 4.5V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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45pF @ 20V
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功率 - 最大值
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400mW
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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封装/外壳
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6-TSSOP，SC-88，SOT-363
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供应商器件封装
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6-TSSOP
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实物图
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