明佳达供应SPANSION S29GL01GS10FHI010 非易失性存储器系列
批号：13+
封装：FBGA
描述
S29GL01G/512/256/128S 是采用 65 纳米工艺技术制造的 MirrorBit Eclipse 闪存产品。这些设备提供快至 15 ns 的快速页面访问时间以及快至 90 ns 的相应随机访问时间。它们具有
一个写入缓冲区，允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 个字节，从而更快地有效编程时间比标准编程算法长。这使得这些设备成为当今嵌入式应用的理想选择需要更高的密度、更好的性能和更低的功耗。
特点
65 nm MirrorBit Eclipse 技术
单电源 (VCC ) 用于读取/编程/擦除（2.7V 至 3.6V）
多功能 I/O 功能
宽 I/O 电压范围 (V IO )：1.65V 至 V CC
x16 数据总线
异步 32 字节页读取
512 字节编程缓冲区
– 以页倍数编程，最多 512 字节
单个单词和多个程序在同一个单词选项上
扇区擦除
– 统一的 128 KB 扇区
用于编程和擦除的挂起和恢复命令操作
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定设备状态
高级扇区保护 (ASP)
每个部门的易失性和非易失性保护方法
单独的 1024 字节一次性编程 (OTP) 阵列与两个可锁定区域
通用闪存接口（CFI）参数表
温度范围
– 工业（-40°C 至 +85°C）
– 机舱内（-40°C 至 +105°C）
任何扇区典型的 100,000 次擦除周期
典型数据保留 20 年
包装选项
– 56 针 TSOP
– 64 球 LAA 强化 BGA，13 毫米 x 11 毫米
– 64 球 LAE 强化 BGA，9 毫米 x 9 毫米
– 56 球 VBU 强化 BGA，9 毫米 x 7 毫米
实物图
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