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明佳达供应SPANSION S29GL01GS10FHI010 非易失性存储器系列

 明佳达供应SPANSION S29GL01GS10FHI010 非易失性存储器系列

批号:13+ 

封装:FBGA 

 

描述

S29GL01G/512/256/128S 是采用 65 纳米工艺技术制造的 MirrorBit Eclipse 闪存产品。这些设备提供快至 15 ns 的快速页面访问时间以及快至 90 ns 的相应随机访问时间。它们具有

一个写入缓冲区,允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 个字节,从而更快地有效编程时间比标准编程算法长。这使得这些设备成为当今嵌入式应用的理想选择需要更高的密度、更好的性能和更低的功耗。

特点

65 nm MirrorBit Eclipse 技术

单电源 (VCC ) 用于读取/编程/擦除(2.7V 至 3.6V)

多功能 I/O 功能

宽 I/O 电压范围 (V IO ):1.65V 至 V CC

x16 数据总线

异步 32 字节页读取

512 字节编程缓冲区

– 以页倍数编程,最多 512 字节

单个单词和多个程序在同一个单词选项上

扇区擦除

– 统一的 128 KB 扇区

用于编程和擦除的挂起和恢复命令操作

状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定设备状态

高级扇区保护 (ASP)

每个部门的易失性和非易失性保护方法

单独的 1024 字节一次性编程 (OTP) 阵列与两个可锁定区域

通用闪存接口(CFI)参数表

温度范围

– 工业(-40°C 至 +85°C)

– 机舱内(-40°C 至 +105°C)

 任何扇区典型的 100,000 次擦除周期

 典型数据保留 20 年

 包装选项

– 56 针 TSOP

– 64 球 LAA 强化 BGA,13 毫米 x 11 毫米

– 64 球 LAE 强化 BGA,9 毫米 x 9 毫米

– 56 球 VBU 强化 BGA,9 毫米 x 7 毫米

实物图

S29GL01GS10FHI010

有单者请来电联系陈生:

QQ:1668527835

电话:13410018555

邮箱:chen13410018555@163.com

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点击数:0 | 更新时间:2021-09-15 17:34:13
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