深圳市明佳达电子出售IR国际整流器 IRF6613TR1PBF IRF6613 N通道MOS场效应管 全新原装现货
批号：16+
封装：DIRECTFET
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类型
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描述
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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| 制造商 | IR国际整流器 | |
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系列
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HEXFET®
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包装
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卷带（TR）
剪切带（CT）
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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40 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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23A（Ta），150A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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4.5V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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3.4 毫欧 @ 23A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.25V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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63 nC @ 4.5 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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5950 pF @ 15 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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2.8W（Ta），89W（Tc）
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工作温度
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-40°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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DIRECTFET™ MT
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封装/外壳
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DirectFET™ 等容 MT
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