明佳达供应ST L6385 L6385D013TR IGBT，N 沟道 MOSFET 半桥栅极驱动器
特征
高达 600 V 的高压轨
dV/dt 抗扰度 +- 50 V/nsec 全温-性能范围
驱动电流能力：400 mA 源，650 mA SINK
开关时间 50/30 ns 上升/下降带 1nF 负载
CMOS/TTL施密特 扳机输入有滞后和下拉
低电压锁定和上驱动部分
内部自举二极管
输出与输入同相
描述
L6385 是一种高压设备，制造商采用 BCD“离线”技术。它有一个驱动程序结构，能够驱动inde-挂件参考 N 通道功率 MOS 或IGBT。上部（浮动）部分启用工作电压轨高达 600V。逻辑在-puts 是 CMOS/T
规格
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驱动配置
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半桥
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通道类型
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独立式
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驱动器数
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2
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栅极类型
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IGBT，N 沟道 MOSFET
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电压 - 供电
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17V（最大）
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逻辑电压 - VIL，VIH
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1.5V，3.6V
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电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
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400mA，650mA
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输入类型
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反相
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高压侧电压 - 最大值（自举）
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600 V
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上升/下降时间（典型值）
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50ns，30ns
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工作温度
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-40°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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封装/外壳
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8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
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供应商器件封装
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8-SOIC
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实物图
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