明佳达供应新品意法 L6571AD013TR L6571：高压半桥驱动器内置振荡器
特征
■ BCD离线技术
■ Vs 上的 15.6 V 齐纳钳位
■驱动电流能力：
– 灌电流 = 270 mA
– 源电流 = 170 mA
■极低的启动电流：150 mA
■带迟滞的欠压锁定
■可编程振荡器频率
■死区时间 1.25 μs (L6571A) 或 0.72 μs(L6571B)
■ dV/dt 抗扰度高达 ±50 V/ns
■ ESD 保护
描述
该设备是一个高压半桥驱动器内置振荡器。振荡器频率可以使用外部电阻进行编程和电容器。设备的内部电路允许它也由外部逻辑信号驱动。输出驱动器旨在驱动外部n 沟道功率 MOSFET 和 IGBT。内置的逻辑确保死区时间以避免交叉功率器件的导通。提供两个版本：L6571A 和 L6571B。它们的内部死区时间不同：1.25μs 和0.72μs（典型值）。
实物图
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