明佳达电子供应Vishay威世《SI3586DV》N沟道和 P沟道 20V (DS) MOSFET
| 型号 | SI3586DV |
| 年份 | 12+ |
| 封装 | SOT563 |
特征
• N 沟道和 P 沟道垂直 DMOS
• 宏模型（子电路模型）
• 3 级 MOS
• 同时申请线性和开关应用
• 在−55 至 125°C 温度范围内保持准确
• 模拟栅极电荷、瞬态和二极管反向恢复特征
规格
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FET 类型
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N 和 P 沟道
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FET 功能
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逻辑电平门
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漏源电压（Vdss）
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20V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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2.9A，2.1A
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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60 毫欧 @ 3.4A，4.5V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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1.1V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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6nC @ 4.5V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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-
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功率 - 最大值
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830mW
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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封装/外壳
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SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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供应商器件封装
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6-TSOP
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实物图
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