明佳达供应赛普拉斯 CY7C1312 CY7C1312KV18-300BZXC 18Mbit QDR® II SRAM存储器
| 年份 | 1737+ |
| 型号 | CY7C1312KV18-300BZXC |
| 封装 | BGA |
特征
■独立的独立读写数据端口支持并发事务
■用于高带宽的 333 MHz 时钟
■所有访问的两字突发
■读取和写入端口上的双倍数据速率 (DDR) 接口（数据以 666 MHz 传输）在 333 MHz
■用于精确 DDR 时序的两个输入时钟（K 和 K）SRAM 仅使用上升沿
■用于输出数据（C 和 C）的两个输入时钟以最小化时钟偏斜和飞行时间不匹配
■回波时钟（CQ 和 CQ）简化了高速数据采集系统
■单路复用地址输入总线锁存地址输入用于读和写端口
■用于深度扩展的单独端口选择
■同步内部自定时写入
■ QDR ® II 在 DOFF 为 1.5 周期读取延迟时运行断言高
■操作类似于 QDR I 设备，具有一个周期读取延迟当 DOFF 被置为低电平时
■提供×8、×9、×18 和×36 配置
■完整的数据一致性，提供最新的数据
■内核 V DD = 1.8 V (±0.1 V)；I/OV DDQ = 1.4 V 至 V DD支持 1.5 V 和 1.8 VI/O 电源
■采用 165 球 FBGA 封装（13 × 15 × 1.4 mm）
■提供无铅和非无铅封装
■可变驱动 HSTL 输出缓冲器
■ JTAG 1149.1 兼容测试访问端口
■用于精确数据放置的 PLL
实物图
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