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ON NTLUD3A260PZTAG NTLUD3:双P沟道逻辑电平门场效应管

深圳市明佳达电子供应ON NTLUD3A260PZTAG NTLUD3:双P沟道逻辑电平门场效应管

年份 13+
封装 DFN

产品规格

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
 
制造商
ON Semiconductor
 
系列
-
 
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel®
 
 
 
零件状态
在售
 
FET 类型
2 个 P 沟道(双)
 
FET 功能
逻辑电平门
 
漏源电压(Vdss)
20V
 
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A
 
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
200 毫欧 @ 2A,4.5V
 
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
 
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.2nC @ 4.5V
 
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
300pF @ 10V
 
功率 - 最大值
500mW
 
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
 
安装类型
表面贴装型
 
封装/外壳
6-UFDFN 裸露焊盘
 
供应商器件封装
6-UDFN(1.6x1.6)

实物图

NTLUD3A260PZTAG

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点击数:0 | 更新时间:2021-06-30 16:20:22
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