赛微电子旗下公司聚能创芯的GaN功率器件包括增强型GaN功率器件、级联型GaN功率器件，以及GaN功率集成电路。其中，650V增强型GaN功率器件系列覆盖10-30 A不同输出电流，适合PD快充、智能家电、基站和服务器等终端应用。
CGL65R190B和CGL65R150B两款产品在65-120 W PD快充领域得到了良好的市场反响。
CGL65R190B是增强型硅基氮化镓功率晶体管，具有高电压击穿和高开关频率。由于RDS(ON) 和 Qg都很低，其传导和开关功率损耗都可以做到很低，从而提供比硅功率晶体管更高的效率。
其功能特性包括：
超快切换；
无反向恢复充电；
可反向导通；
低栅极电荷，低输出电荷；
符合 JEDEC 标准级应用的要求。
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