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推出英飞凌分立半导体 IPP084N06L3G MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3

明佳达电子推出INFINEON IPP084N06L3G MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3

批号:1032+ 

封装:TO-220 

 

特征

•非常适合高频切换和同步。记录

•DC / DC转换器的优化技术

•极好的栅极电荷x R DS(on)乘积(FOM)

•N通道,逻辑电平

•经过100%雪崩测试

•无铅电镀;符合RoHS

•通过JEDEC认证

•无卤,符合IEC61249-2-21

产品属性

Infineon  
MOSFET  
Si  
Through Hole  
TO-220-3  
N-Channel  
1 Channel  
60 V  
50 A  
8.4 mOhms  
- 20 V, + 20 V  
3 V  
29 nC  
- 55 C  
+ 175 C  
79 W  
Enhancement  
OptiMOS  
Tube  
配置: Single  
高度: 15.65 mm  
长度: 10 mm  
系列: OptiMOS 3  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 4.4 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 7 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 26 ns  
工厂包装数量: 500  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 37 ns  
典型接通延迟时间: 15 ns  
零件号别名: IPP84N6L3GXK SP000680838 IPP084N06L3GXKSA1  
单位重量: 2 g  

实物图

IPP084N06L3G

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源自:深圳市明佳达电子有限公司

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点击数:0 | 更新时间:2021-05-26 16:10:06
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