明佳达全新原装供应TI《CSD17304Q3》30V N沟道NexFET™功率MOSFET
批号：10+
封装：QFN
描述
NexFET™功率MOSFET的设计最大限度地减少功率转换应用中的损耗并针对5V栅极驱动应用进行了优化。
规格
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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15A（Ta），56A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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3V，8V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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7.5 毫欧 @ 17A，8V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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1.8V @ 250µA
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Vgs（最大值）
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+10V，-8V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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2.7W（Ta）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
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封装/外壳
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8-PowerTDFN
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漏源电压（Vdss）
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30 V
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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6.6 nC @ 4.5 V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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955 pF @ 15 V
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应用
•笔记本负载点
•负载点同步降压网络，电信和计算系统
实图
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