【新闻导读】全球半导体供给紧张，三星电子位于南韩平泽(Pyeongtaek)的第二工厂，最快会在今年6月上线，可望提供更多晶圆代工产能、并生产更多记忆体。
报导称，三星平泽一厂(P1)于2017年6月量产，该公司随后在2018年动工兴建二厂(P2)。新厂已在去年下半使用极紫外光(EUV)微影技术，量产第三代10纳米LPDDR5行动DRAM。
今年下半，平泽二厂将启用新的晶圆代工产线和次世代V- NAND flash产线。三星高层透露，平泽二厂的所有产线，将一如预期在2021年下半投产。业界内部人士透露：「据我所知，平泽二厂从2021年初开始，持续提高运作率」。
三星电子去年5月新闻稿表示，平泽厂的新晶圆代工产线，以EUV为基础的5纳米产线为主，预定2021年下半全面启用。新产线将协助三星扩大采用最先进的制程技术，用于5G、高效能运算(HPC)、人工智能(AI)等。
韩国时报去年11月报导，三星电子预料景气将复苏，据传要增加DRAM、NAND flash、晶圆代工产能，准备借此冲刺市占，扩大和竞争对手的差距。
美系资产组合经理人表示：「(增产理由是)2021年全年DRAM、NAND将严重短缺，带动价格和获利复苏」。
据了解三星DRAM的每月晶圆产能将增加3万片、NAND增加6万片、晶圆代工增加2万片。
增加产能主要在三星南韩平泽(Pyeongtaek)工厂。NH Investment分析师说：「三星会积极生产NAND记忆体，不过将对DRAM维持保守态度。由于晶圆代工芯片将短缺，2021年三星至少会对平泽厂和美国德州奥斯汀厂投资10兆韩圜」。该资产组合经理人透露：「一般认为三星不会大幅增加记忆体的晶圆产能，以免重蹈2018年覆辙，这次的上行循环中，(三星)增产作法将更理性。三星调整策略，可能是要趁数字变化、供给收紧时，抢下更大市占」。
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